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Horno de deposición al vacío
El horno de deposición al vacío se utiliza para la preparación de materiales compuestos de carbono-carbono, y el horno de deposición se utiliza principalmente para la preparación de recubrimientos de carbono pirolítico sobre la superficie de grafito, dispositivos semiconductores y materiales de socavación resistentes al calor.
Ámbito de aplicación:
Grafito, dispositivos semiconductores, materiales abrasivos resistentes al calor.
1. Parámetros básicos:
1) Temperatura de diseño: 1250 ℃/1650 ℃/1800 ℃/2200 ℃
2) Temperatura común: 900~1200℃
3) Grado de vacío: < 50Pa
4) Tasa de aumento de presión: 6,67 pA /h (o 150 Pa/24 h) en estado frío del horno vacío
5) Modo de calentamiento: calentamiento por resistencia de grafito o calentamiento por inducción, control de temperatura independiente, buena uniformidad de temperatura
6) Medio ambiente: vacío /CH4/C3H6/H2/N2/Ar
7) Modo de control de gas: control del medidor de flujo másico, ruta de gas multicanal, campo de flujo uniforme, sin ángulo muerto de deposición, buen efecto de deposición;
Sistema de tratamiento de gases de escape eficiente y de múltiples etapas, respetuoso con el medio ambiente, fácil de limpiar;
8) Tipo de horno: estructura cuadrada, redonda, vertical u horizontal (diseño no estándar), cámara de deposición completamente cerrada, buen efecto de sellado, fuerte capacidad anticontaminación;
9) Modo de enfriamiento del horno: enfriamiento por agua de la carcasa del horno, se puede seleccionar un sistema de enfriamiento rápido de circulación externa, tiempo de enfriamiento corto, alta eficiencia de producción;
2. Estructura del horno de deposición al vacío:
Forma de la estructura: horizontal - descarga lateral, vertical - descarga arriba/abajo
Modo de bloqueo de la puerta del horno: manual/automático
Material de la carcasa del horno: interior de acero inoxidable/todo acero inoxidable
Material de aislamiento: fieltro de carbono/fieltro de grafito/fieltro curado con fibra de carbono
Material calefactor, mufla: grafito /CFC
Instrumento infrarrojo: colorimétrico simple/colorimétrico doble
Fuente de alimentación: KGPS/IGBT (solo apto para calefacción de media frecuencia)
3 、 Especificaciones del producto
Parámetro/modelo No. | JT-0305-C | JT-0505-C | JT-0608-C | JT-0612-C | GJC-0812-C | GJC-1120-C | GJC-1218-C | GJC-1520-C |
Tamaño de la zona de trabajo φ × H （mm） | 300×500 | 500×500 | 600×800 | 600×1200 | 800×1200 | 1100×2000 | 1200×1800 | 1500×2000 |
Temperatura más alta （℃） | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 |
Uniformidad de temperatura (℃) | ±5 | ±5 | ± 5/± 7.5 | ± 7.5/± 10 | ± 7.5/± 10 | ± 10/± 15 | ± 10/± 15 | ± 15/± 20 |
Límite de grado de vacío ( Pa ) | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
Tasa de aumento de presión （PA/H） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
Método de calentamiento | · Resistencia/inducción | Resistencia/inducción | Resistencia/inducción | Resistencia/inducción | Resistencia/inducción | Resistencia/inducción | Resistencia/inducción | Resistencia/inducción |
Horno de deposición al vacío
El horno de deposición al vacío se utiliza para la preparación de materiales compuestos de carbono-carbono, y el horno de deposición se utiliza principalmente para la preparación de recubrimientos de carbono pirolítico sobre la superficie de grafito, dispositivos semiconductores y materiales de socavación resistentes al calor.
Ámbito de aplicación:
Grafito, dispositivos semiconductores, materiales abrasivos resistentes al calor.
1. Parámetros básicos:
1) Temperatura de diseño: 1250 ℃/1650 ℃/1800 ℃/2200 ℃
2) Temperatura común: 900~1200℃
3) Grado de vacío: < 50Pa
4) Tasa de aumento de presión: 6,67 pA /h (o 150 Pa/24 h) en estado frío del horno vacío
5) Modo de calentamiento: calentamiento por resistencia de grafito o calentamiento por inducción, control de temperatura independiente, buena uniformidad de temperatura
6) Medio ambiente: vacío /CH4/C3H6/H2/N2/Ar
7) Modo de control de gas: control del medidor de flujo másico, ruta de gas multicanal, campo de flujo uniforme, sin ángulo muerto de deposición, buen efecto de deposición;
Sistema de tratamiento de gases de escape eficiente y de múltiples etapas, respetuoso con el medio ambiente, fácil de limpiar;
8) Tipo de horno: estructura cuadrada, redonda, vertical u horizontal (diseño no estándar), cámara de deposición completamente cerrada, buen efecto de sellado, fuerte capacidad anticontaminación;
9) Modo de enfriamiento del horno: enfriamiento por agua de la carcasa del horno, se puede seleccionar un sistema de enfriamiento rápido de circulación externa, tiempo de enfriamiento corto, alta eficiencia de producción;
2. Estructura del horno de deposición al vacío:
Forma de la estructura: horizontal - descarga lateral, vertical - descarga arriba/abajo
Modo de bloqueo de la puerta del horno: manual/automático
Material de la carcasa del horno: interior de acero inoxidable/todo acero inoxidable
Material de aislamiento: fieltro de carbono/fieltro de grafito/fieltro curado con fibra de carbono
Material calefactor, mufla: grafito /CFC
Instrumento infrarrojo: colorimétrico simple/colorimétrico doble
Fuente de alimentación: KGPS/IGBT (solo apto para calefacción de media frecuencia)
3 、 Especificaciones del producto
Parámetro/modelo No. | JT-0305-C | JT-0505-C | JT-0608-C | JT-0612-C | GJC-0812-C | GJC-1120-C | GJC-1218-C | GJC-1520-C |
Tamaño de la zona de trabajo φ × H （mm） | 300×500 | 500×500 | 600×800 | 600×1200 | 800×1200 | 1100×2000 | 1200×1800 | 1500×2000 |
Temperatura más alta （℃） | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 | 2300 |
Uniformidad de temperatura (℃) | ±5 | ±5 | ± 5/± 7.5 | ± 7.5/± 10 | ± 7.5/± 10 | ± 10/± 15 | ± 10/± 15 | ± 15/± 20 |
Límite de grado de vacío ( Pa ) | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 | 1-100 |
Tasa de aumento de presión （PA/H） | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 | 0.67 |
Método de calentamiento | · Resistencia/inducción | Resistencia/inducción | Resistencia/inducción | Resistencia/inducción | Resistencia/inducción | Resistencia/inducción | Resistencia/inducción | Resistencia/inducción |
